地点: 湖北 发布时间:2013-09-22 18:32:53 |
| 武汉光电国家实验室化合物半导体多结太阳能电池方向招聘 | | 武汉光电国家实验室(筹)光电子器件与集成研究部近期因研究项目发展需要,欲招收博士后2~3名,具体研究方向和要求如下:
研究领域:
化合物半导体多结太阳能电池方向
研究内容:
利用MOCVD技术在Ge衬底和GaAs衬底上生长化合物半导体多结太阳电池结构材料,优化外延层生长工艺,优化设计子电池结构,对GaInP顶电池、GaAs中电池和Ge底电池的结构进行设计和优化,并研究其生长工艺;并研究超薄层隧穿结生长控制技术,精确控制隧穿薄膜的工艺生长条件,获得隧穿薄膜包括P++和N++二层,最进行太阳能电池器件的制备和测试,最终获得高效率多结太阳电池。
申请时请提供以下材料:
(1) 教育经历(本科、硕士、博士);
(2) 博士期间参加的主要科研工作简介;
(3) 博士论文的主要内容;
(4) 发表(含录用)论文清单;
(5) 获奖情况;
(6) 预计能够进站的时间。
申请程序:
指导老师审阅材料――网上报名――通过流动站初审――指导小组面试考核――递交各项材料――流动站审核盖章――武汉光电国家实验室(筹)备案――华中科技大学博管办审核――湖北省博管办审核
详见http://wnlo.hust.edu.cn/employment/index3.php
武汉光电国家实验室(筹)博士后进站流程图
合作老师:陈长清教授
联系电话:13638641098
电子邮件:wuzhihao.sd@mail.hust.edu.cn
地址: 武汉市华中科技大学珞瑜路1037号
联系方式:华中科技大学主校区127号信箱 邮政编码430074 |
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