研究方向一： GaN基短波长激光器 研究内容：GaN基激光器相关的物理和关键技术研究，包括GaN基激光器腔结构的理论分析和优化，GaN基波导结构的金属有机化合物气相沉积（MOCVD）外延层生长以及物性的表征分析，GaN基激光器的制备和精细微加工和GaN基激光器性能测试分析。

 

研究方向二： GaN 基功率型LED 研究内容：半导体照明用GaN 基功率型LED的材料结构设计，MOCVD生长，材料特性分析；器件结构设计，制备，器件性能分析及相关物理问题研究，其中包括激光剥离技术，光子晶体在LED方面的应用；功率型白光LED的封装的光学设计，热量管理，稳定性和寿命，以及LED在照明等方面的应用等相关问题的研究。

 

研究方向三：GaN基异质结构和高温微波功率器件 研究内容：GaN基异质结构，特别是AlGaN/GaN异质结构的MOCVD外延生长， GaN基异质结构二维电子气经典与量子输运性质，GaN基异质结构和量子阱的子带跃迁和子带吸收，GaN基异质结构的极化性质， GaN基异质结构的金属/半导体接触，GaN基HEMT器件研制与器件物理等。

 

欢迎具有半导体物理、材料和器件研究背景的人员申请。拟招聘人数3名。

 

宽禁带半导体研究中心的详细介绍请访问研究中心主页：www.phy.pku.edu.cn/~wgs/index.html。

 

联系人: 沈波教授

 

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